北京蝶形微波器外壳|恒熙电子生产金属封装外壳

金属外壳的发展前景应用及要求：器件功率加大，封装壳体的散热特性已成为选择适当的封装技术的一个重要因素。目前，微电子区域产品运用的越来越广范，需求的量越来越大，外壳作为集成电路的关键组件之一，主要起着电路支撑、电信号传输、散热、密封及化学防护等作用，在对电路的性影响以及占电路成本的比例方面，外壳均占有重要地位。LED封装技术是在分立器件封装技术基础上发展来的，但有很大的特别性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。
金属外壳的结构设计要求和主要关键技术
其一、金属封装外壳的结构设计要求
TR组件目前常用的高功率发热芯片主要有GaAs，GaN和LTCC，其中典型的整体金属封装外壳TR组件的几乎都为封闭式盒体结构。GaAs，GaN芯片直接或间接(有过渡层)焊接在壳体上，然后和印制板进行键合，然后整个盒体进行密封装。
该种形式TR的气密封装形式简便，但是厚度受限，一般不低于5mm。我所目前常用微波、毫米波TR组件主要是Ku，K，Ka频段，半波长在5~11毫米。当TR组件的厚度受限时，就采用局部气密封装的形式，将天线和TR做成LTCC然后将LTCC焊接在TR背板上，对LTCC进行局部气密封。
相控阵毫米波导引头TR组件由于厚度受限，设计采用局部气密封装方式。相控阵毫米波导引头天线的间距为9mm，TR组件封装外壳典型结构为间距9mm的砖式结构。双面焊接LTCC基板，单面焊接2片，该TR背板上要同时集成LTCC及收发电路，中间还有部分波导，尺寸小，器件集成度高，安装定位要素多，精度要求高。该TR背板不仅是所有元器件的安装载体，也是整个TR抵抗环境应力破坏的基体，对设计该背板的材料除应与LTCC进行热匹配外，还应有足够的强度抵抗冲击、振动等环境因素的破坏。
为与芯片的热膨胀系数相匹配以减少工作时芯片受热应力破坏的可能，应根据芯片的热膨胀系数选择与之相近的硅铝合金复合材料，硅铝合金复合材料的导热系数目前外洋有5，6，7，9，11，13，15，17等规格，国内厂家的产品还不能全部覆盖外洋的规格。由于加工性能和商机周期的限制，结合对国内相关使用情况的调研结果，对膨胀系数为9和11两种规格的材料进行相关的验证。从试验结果来看，膨胀系数为9和11的硅铝合金复合材料材料LTCC封装的TR组件壳体的要求
除上述电路总体要求外，由于相控阵毫米波导引头项目TR组件外壳采用新型封装材料硅铝合金复合材料为基体材料，因其高脆性特点，结合气密封装性与环境适应性要求，结构设计需保护其加工工艺性、镀覆性能、焊接性能以及使用性能等。
其二、蝶形微波器壳体主要关键技术
1.典型相控阵毫米波导引头TR组件封装外壳结构设计技术
目前，硅铝合金复合材料的制备是采用快速凝固或压力铸造技术，两种方法制备的硅铝合金复合材料性能指标基本相同。进口硅铝合金复合材料性能相对稳定，但蝶形微波器外壳受限于成本、供货周期、技术封锁，难以满足我所军品生产需求。国产硅铝合金复合材料由于时间相对较短，质量欠缺稳定，缺乏材料性能及后续加工的相关支撑信息，阻碍该材料的广泛应用。此外，受限于硅铝合金复合材料特殊的材料性能与加工性能，不能简单套用常规铝合金设计技术。综合考虑，需根据材料成形原理、稳定性、成本及应用情况，结合各项加工与环境适应性验证结果，甄选2~3种硅铝合金复合材料。通过研究、验证其材料性能与工艺性能，开展相控阵毫米波成像末制导技术TR组件壳体结构与工艺综合设计，设备集工艺性与经济性一体的低膨胀、高导热、轻质相控阵毫米波导引头硅铝合金复合材料TR封装壳体。
2.机械加工工艺技术
硅铝合金复合材料因其成分组成和微观结构而决定其高脆性的特点，其在切削加工过程中，易发生材料崩裂，通孔、螺纹等要素加工困难，刀具磨损情况严重，加工质量稳定性低，成品率低下。因此，硅铝合金复合材料机械加工工艺技术是本项目研究的关键技术。
沧州恒熙电子有限责任公司（http://www.hengxidianzi.com）主营多种不同型号的晶振外壳、电源外壳、金属封装外壳，配备镀金、镀镍、镀锡、电泳漆、阳极氧化等表面处理加工车间、全部实现本厂自主生产加工能、缩短交期等问题。产品远销北京、上海、广州、深圳、西安、等地。