掩模对准曝光机试验方法

掩模对准曝光机又名光刻机，用光来制作一个图形工艺，将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时F制到硅片上的过程。半导体制造过程中复杂也是难的步骤就是光刻，光刻机也因此成为重要的半导体制造设备，研发的技术门槛和资金门槛非常高，是复杂的机器之一。

 

试验方法：

1、环境条件检查：

①温度、相对湿度检查：试验期间，用精度不低于1级的干湿球湿度计每4h测试一次环境的温度，相对湿度。千湿球湿度计应置放在与工作台高度一致，没有气流的地方；

②洁净度检查：试验期间，每4h测试一次洁净度。选用测试精度能满足相应洁净度等级的光学粒子计数器检测有效工作区域的洁净度；

③地面振动检查：试验期间，测试一次地面振动幅度，振动分析仪的拾振装置应置放于工作台机座附近。

 

2、外观检查：

①用目视法进行外观质量检查；

②用手感方法检查移动机构的空位及运动情况。

 

3、中国商机商检查：

①用自动击穿装置在500V直流电压下，测量初级线路与机壳之间的绝缘电阻；

②用自动击穿装置在1500V，50Hz交流电压下，测量漏电流值。试压1min，观察有无击穿和故电现象；

③用目视法检查接D标志。

 

4、显微镜检查：

①调节显微镜的目镜、物镜，用手感及目视法检查目镜、物镜中心距调节性能、光轴平行性，左右视场的齐焦程度以及左右显微镜倍率的一致性；

调节显微镜视场亮度，用目视法检查视场的亮度变化及清晰度；

②调节显微镜，选择相应分辨率版，通过能识别的线宽，检查显微镜的分辨能力是否满足仪器标称分辨率的需要；

③调节显微镜物镜与基片相对位置，用1级千分表测量能识别相应线宽的调节范围。此调节范围即为显徼镜焦深。

 

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